探測(cè)器結(jié)構(gòu)與工作原理 {jz:field.toptypename/} 實(shí)驗(yàn)裝置與布局 實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)的米格達(dá)爾效應(yīng)事例展示 近日，由中國(guó)科學(xué)院大學(xué)主導(dǎo)的聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)首次直接觀測(cè)到米格達(dá)爾（Migdal）效應(yīng)，相關(guān)成果于1月15日發(fā)表在《自然》正刊。該研究不僅展現(xiàn)出我國(guó)高品質(zhì)氣體探測(cè)技術(shù)的卓越水平，更為輕質(zhì)量暗物質(zhì)探測(cè)突破閾值瓶頸提供關(guān)鍵支撐。 暗物質(zhì)與暗能量被視作本世紀(jì)物理領(lǐng)域的重大謎題，其探索將推動(dòng)人類對(duì)物質(zhì)世界的革命性認(rèn)知。但輕質(zhì)量暗物質(zhì)與普通物質(zhì)的相互作用極弱，常規(guī)探測(cè)手段難以捕捉其信號(hào)。科

{jz:field.toptypename/} 1月19日15時(shí)48分，我國(guó)在海南商業(yè)航天發(fā)射場(chǎng)使用長(zhǎng)征十二號(hào)運(yùn)載火箭，成功將衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)低軌19組衛(wèi)星發(fā)射升空，衛(wèi)星順利進(jìn)入預(yù)定軌道，發(fā)射任務(wù)獲得圓滿成功。該組衛(wèi)星是銀河航天持續(xù)獨(dú)立承擔(dān)此類太空基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)研制的第二組衛(wèi)星。 據(jù)銀河航天型號(hào)總師胡照介紹，該組衛(wèi)星搭載銀河航天自主研制的面向更低成本、行業(yè)先進(jìn)的相控陣，毫米波天線，綜合電子，能源等多項(xiàng)核心技術(shù)產(chǎn)品。研制過(guò)程首次實(shí)現(xiàn)數(shù)字化全流程貫通，針對(duì)批量生產(chǎn)的特點(diǎn)進(jìn)行了自動(dòng)化測(cè)試、智能裝配與檢測(cè)、發(fā)

1月15日12時(shí)01分，我國(guó)在酒泉衛(wèi)星發(fā)射中心使用長(zhǎng)征二號(hào)丙運(yùn)載火箭成功將阿爾及利亞遙感三號(hào)衛(wèi)星A星發(fā)射升空，衛(wèi)星順利進(jìn)入預(yù)定軌道，發(fā)射任務(wù)取得圓滿成功。 該衛(wèi)星主要用于土地規(guī)劃和防災(zāi)減災(zāi)領(lǐng)域。 此次任務(wù)是長(zhǎng)征系列運(yùn)載火箭的第626次飛行。 {jz:field.toptypename/} （光明日?qǐng)?bào)全媒體記者章文 通訊員王晨宇 攝影汪江波）

本報(bào)北京1月19日電（記者劉坤）工業(yè)和信息化部、國(guó)家發(fā)展改革委等五部門(mén)日前聯(lián)合印發(fā)《關(guān)于開(kāi)展零碳工廠建設(shè)工作的指導(dǎo)意見(jiàn)》。 零碳工廠建設(shè)是指通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新、結(jié)構(gòu)調(diào)整和管理優(yōu)化等減排措施，實(shí)現(xiàn)廠區(qū)內(nèi)二氧化碳排放的持續(xù)降低、逐步趨向于近零的過(guò)程。意見(jiàn)提出，2026年起，遴選一批零碳工廠，做好標(biāo)桿引領(lǐng)。 意見(jiàn)明確，到2027年，在汽車(chē)、鋰電池、光伏、電子電器、輕工、機(jī)械、算力設(shè)施等行業(yè)領(lǐng)域，培育建設(shè)一批零碳工廠，初步構(gòu)建涵蓋能源供應(yīng)、技術(shù)研發(fā)、標(biāo)準(zhǔn)制定、金融支持等的零碳工廠建設(shè)產(chǎn)業(yè)生態(tài)。到2030年，

據(jù)中核集團(tuán)消息，近日，由中核集團(tuán)中國(guó)原子能科學(xué)研究院自主研制的我國(guó)首臺(tái)串列型高能氫離子注入機(jī)（POWER-750H）成功出束，核心指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。這標(biāo)志著我國(guó)已全面掌握串列型高能氫離子注入機(jī)的全鏈路研發(fā)技術(shù)，攻克了功率半導(dǎo)體制造鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為推動(dòng)高端制造裝備自主可控、保障產(chǎn)業(yè)鏈安全奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。離子注入機(jī)與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備并稱為芯片制造"四大核心裝備"，是半導(dǎo)體制造不可或缺的"剛需"設(shè)備。此次高能氫離子注入機(jī)的成功研制，是核技術(shù)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度融合的重要成果，將有力提升我國(guó)在

財(cái)聯(lián)社 1 月 19 日電，國(guó)家統(tǒng)計(jì)局初步核算，2025 年全年國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值 1401879 億元，按不變價(jià)格計(jì)算，比上年增長(zhǎng) 5.0%。分產(chǎn)業(yè)看，第一產(chǎn)業(yè)增加值 93347 億元，比上年增長(zhǎng) 3.9%；第二產(chǎn)業(yè)增加值 499653 億元，增長(zhǎng) 4.5%；第三產(chǎn)業(yè)增加值 808879 億元，增長(zhǎng) 5.4%。分季度看，一季度國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值同比增長(zhǎng) 5.4%，二季度增長(zhǎng) 5.2%，三季度增長(zhǎng) 4.8%，四季度增長(zhǎng) 4.5%。從環(huán)比看，四季度國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值增長(zhǎng) 1.2%。

新京報(bào)訊（記者陳琳）"中國(guó)經(jīng)濟(jì)是一片大海，不是一個(gè)小池塘，能夠經(jīng)受住風(fēng)吹浪打甚至狂風(fēng)驟雨的考驗(yàn)。" 1 月 19 日，國(guó)新辦進(jìn)行經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)例行發(fā)布，國(guó)家統(tǒng)計(jì)局局長(zhǎng)康義在提到 2026 年中國(guó)經(jīng)濟(jì)走勢(shì)時(shí)表示，作為"十五五"開(kāi)局之年，2026 年我國(guó)經(jīng)濟(jì)穩(wěn)中向好有條件、有支撐。 從發(fā)展基礎(chǔ)來(lái)看，"十四五"我國(guó)推動(dòng)高質(zhì)量發(fā)展取得扎實(shí)成效。我國(guó)經(jīng)濟(jì)實(shí)力、科技實(shí)力、綜合國(guó)力都躍上了新臺(tái)階，五年經(jīng)濟(jì)增量超過(guò)了 36 萬(wàn)億元，研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入強(qiáng)度提高了 0.44 個(gè)百分點(diǎn)，發(fā)展家底更加殷實(shí)、發(fā)展空間更加廣闊，為"

{jz:field.toptypename/} 財(cái)聯(lián)社 1 月 20 日電，財(cái)政部副部長(zhǎng)廖岷在國(guó)新辦新聞發(fā)布會(huì)上表示，2025 年我國(guó)財(cái)政赤字率按 4% 左右，比上年提高 1 個(gè)百分點(diǎn)；新增政府債務(wù)規(guī)模 11.86 萬(wàn)億元，比上年增加 2.9 萬(wàn)億元，這些都遠(yuǎn)超前幾年的平均水平。盡管 2025 年我國(guó)增加了赤字和政府債券規(guī)模，但從國(guó)際比較上來(lái)看，我國(guó)政府負(fù)債率依然較低，遠(yuǎn)低于 G20 國(guó)家的平均政府負(fù)債率水平。

{jz:field.toptypename/} 財(cái)聯(lián)社 1 月 17 日電，國(guó)家能源局 17 日宣布，2025 年我國(guó)全社會(huì)用電量歷史性突破 10 萬(wàn)億千瓦時(shí)，達(dá)到 10.4 萬(wàn)億千瓦時(shí)，同比增長(zhǎng) 5%。這一數(shù)字在全球單一國(guó)家中尚屬首次，相當(dāng)于美國(guó)全年用電量的兩倍多，超過(guò)歐盟、俄羅斯、印度、日本四個(gè)經(jīng)濟(jì)體的年用電量總和。 ( 央視新聞 )

快科技 1 月 18 日消息，據(jù)"中核集團(tuán)"公眾號(hào)發(fā)文，由中核集團(tuán)中國(guó)原子能科學(xué)研究院自主研制的我國(guó)首臺(tái)串列型高能氫離子注入機(jī)（POWER-750H）已成功實(shí)現(xiàn)出束，其核心指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。 這標(biāo)志著我國(guó)全面掌握了該型設(shè)備的全鏈路研發(fā)技術(shù)，攻克了功率半導(dǎo)體制造鏈上的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為推進(jìn)高端制造裝備自主可控、保障產(chǎn)業(yè)鏈安全奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 離子注入機(jī)與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備并稱為芯片制造"四大核心裝備"，是半導(dǎo)體制造中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備。長(zhǎng)期以來(lái)，我國(guó)高能氫離子注入機(jī)完全依賴進(jìn)口，由于研發(fā)