中經(jīng)記者譚倫北京報(bào)道

　　日前，在低調(diào)官宣2納米制程已于2025年第四季度正式量產(chǎn)后，臺(tái)積電披露下一代1.4納米工藝研發(fā)工作也已順利展開，其相關(guān)工廠建設(shè)正加速推進(jìn)。按照既有節(jié)奏，其1.4納米工藝的風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)工作預(yù)期將于2027年啟動(dòng)。

　　這一系列的進(jìn)展，在鞏固臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域霸主地位的同時(shí)，也宣告全球半導(dǎo)體物理制造極限的產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)正式進(jìn)入全新的1納米時(shí)代。在當(dāng)前的全球半導(dǎo)體制造版圖中，臺(tái)積電占據(jù)絕對(duì)主導(dǎo)，三星奮力追趕，英特爾則試圖通過技術(shù)革新實(shí)現(xiàn)彎道超車。其中，三星電子希望通過率先應(yīng)用GAA（全環(huán)繞柵極）架構(gòu)實(shí)現(xiàn)“彎道超車”；昔日霸主英特爾則在“五年四個(gè)節(jié)點(diǎn)”戰(zhàn)略的驅(qū)動(dòng)下，試圖通過制程之爭(zhēng)重回巔峰。

　　目前，臺(tái)積電尚未披露采用其1.4納米制程的客戶名單。但據(jù)媒體報(bào)道稱，蘋果已拿下臺(tái)積電2納米初期半數(shù)以上的產(chǎn)能，用于生產(chǎn)A20和A20 Pro芯片，因此，市場(chǎng)預(yù)計(jì)其大概率會(huì)再度成為1.4納米的最大客戶。

　　對(duì)此，CHIP中國(guó)實(shí)驗(yàn)室主任羅國(guó)昭向《中國(guó)經(jīng)營(yíng)報(bào)》記者表示，半導(dǎo)體先進(jìn)制程的研發(fā)素來緊湊，量產(chǎn)一代之際，下一代的預(yù)研便已開始。考慮到當(dāng)前全球市場(chǎng)對(duì)AI算力的巨大需求，2納米至1.4納米的過渡間隔或?qū)⒖s短，其量產(chǎn)進(jìn)程或也將進(jìn)一步提前。

　　“破2進(jìn)1”雙線推進(jìn)

　　作為當(dāng)前全球半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的執(zhí)牛耳者，臺(tái)積電一直以其精準(zhǔn)的時(shí)鐘節(jié)奏著稱。此次2納米的量產(chǎn)與1.4納米的推進(jìn)依然如此。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師季維認(rèn)為，制程轉(zhuǎn)換背后，也意味著臺(tái)積電完成了從FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）架構(gòu)向GAA架構(gòu)的平穩(wěn)過渡。

　　據(jù)臺(tái)積電官方信息，最新量產(chǎn)的2納米工藝（N2）采用第一代納米片晶體管架構(gòu)，較此前3納米/3納米增強(qiáng)版在能耗與性能上有較大改進(jìn)。其中，相同功耗下性能提升10%—15%，相同性能下功耗降低25%—30%，晶體管密度提升約20%。量產(chǎn)上也形成多廠擴(kuò)產(chǎn)格局，同時(shí)服務(wù)蘋果、英偉達(dá)等客戶，展現(xiàn)出對(duì)多元需求的覆蓋。

　　臺(tái)積電CEO魏哲家表示，2納米良率表現(xiàn)良好，2026年將在智能手機(jī)與AI/HPC需求推動(dòng)下加速產(chǎn)能爬坡。得益于穩(wěn)定的良率控制與頭部客戶加持，臺(tái)積電2納米制程有望快速形成規(guī)模效應(yīng)，進(jìn)一步拉開與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距。

　　而對(duì)于正在推進(jìn)的1.4納米制程，已釋出的信息顯示，其技術(shù)路線被視為臺(tái)積電“漸進(jìn)式更小節(jié)點(diǎn)”的戰(zhàn)略。一方面，其繼續(xù)在N2上滾動(dòng)優(yōu)化（N2派生版本），另一方面，則推進(jìn)研發(fā)與產(chǎn)線前置建設(shè)，以便在N2成熟后迅速轉(zhuǎn)入下一代節(jié)點(diǎn)的試產(chǎn)與放量。

　　在技術(shù)路線上，據(jù)臺(tái)媒相關(guān)消息，1.4納米制程或延續(xù)GAA架構(gòu)并引入超級(jí)電軌背面供電技術(shù)，重點(diǎn)優(yōu)化AI芯片與高性能計(jì)算場(chǎng)景的性能表現(xiàn)。但其初期良率或低于20%，待逐步攀升后，米蘭體育官方網(wǎng)站需求才可能迎來激增。

　　目前，臺(tái)積電目標(biāo)是在2027年前后啟動(dòng)1.4納米制程風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2028年前后逐步進(jìn)入量產(chǎn)。羅國(guó)昭認(rèn)為，按照市場(chǎng)信息推斷，臺(tái)積電短期仍會(huì)以2納米為主，產(chǎn)能聚焦高端手機(jī)或AI芯片供給。中期則預(yù)計(jì)將視1.4納米良率曲線而定，若能在進(jìn)入量產(chǎn)的前一年內(nèi)將良率推高，市場(chǎng)需求便可能出現(xiàn)“彈性爆發(fā)”。

　　季維則認(rèn)為，由于1.4納米制程的晶體管尺寸進(jìn)一步微縮，光刻圖案的重疊精度要求已達(dá)到原子級(jí)，這使得每片晶圓的造價(jià)成本可能急劇攀升，從而影響其市場(chǎng)定價(jià)。但考慮到先進(jìn)制程客戶的營(yíng)收能力，有望進(jìn)一步推高臺(tái)積電未來的收入。

　　三星、英特爾緊隨

　　作為臺(tái)積電目前最直接的兩大對(duì)手，三星和英特爾長(zhǎng)期以來一直與其在先進(jìn)制程上角力。業(yè)內(nèi)廣泛認(rèn)為，此次臺(tái)積電“破2進(jìn)1”，將逼迫三星和英特爾加緊追趕步伐。

　　從2022年開始就實(shí)現(xiàn)3納米GAA工藝量產(chǎn)、與臺(tái)積電針鋒相對(duì)的三星，近年來在產(chǎn)品路線上提出明確的時(shí)間表：早在對(duì)外發(fā)布的制程路線圖中，三星曾將2納米與1.4納米納入其中長(zhǎng)期計(jì)劃，并規(guī)劃到2027年前后推進(jìn)1.4納米級(jí)別的制程投產(chǎn)。

　　公開信息顯示，其第二代2納米工藝（SF2P）采用進(jìn)階版MBCFET架構(gòu)，相較3納米性能提升12%、功耗降低25%，同時(shí)引入后側(cè)電源交付網(wǎng)絡(luò)技術(shù)，莊閑和游戲優(yōu)化功率效率。在剛剛舉行的2026 CES展上，高通CEO安蒙透露，已就2納米芯片代工與三星進(jìn)行積極洽談，相關(guān)設(shè)計(jì)工作已完成，目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)商業(yè)量產(chǎn)。

　　在羅國(guó)昭看來，三星的優(yōu)勢(shì)在于其在設(shè)備整合、封裝等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的一體化協(xié)同，但挑戰(zhàn)在于若要與臺(tái)積電抗衡，仍需要持續(xù)改善良率。近年來，三星曾在某些關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上暴露出良率低的問題，導(dǎo)致部分客戶轉(zhuǎn)單或拖延，因此，良率也成為三星過去兩年的改進(jìn)重心。

　　以2納米為例，初期三星2納米良率僅20%—30%，經(jīng)持續(xù)優(yōu)化，至2025年年底已達(dá)40%—50%，目標(biāo)是在2026年年初提升至70%。盡管仍低于臺(tái)積電2納米70%以上的良率水平，但也能滿足大規(guī)模商業(yè)化的基本要求。三星官方信息顯示，其正將德州工廠作為2納米產(chǎn)能核心，通過多元化供應(yīng)鏈策略分流臺(tái)積電客戶資源，在先進(jìn)制程市場(chǎng)搶占更多份額。

　　而老牌巨頭英特爾則以“回歸制造”與“代工廠擴(kuò)張”為雙重目標(biāo)。在近年來提出包括18A（等同于1.8納米級(jí)別）、14A（等同于1.4納米級(jí)別）等命名的路線，并通過美國(guó)官方投資法案與巨額資本投入，加速本土產(chǎn)能擴(kuò)張。

　　記者從英特爾方面獲悉，目前其18A制程引入RibbonFET（GAA晶體管）與PowerVia（背面供電）雙重技術(shù)，已于2025年進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)在2026年擴(kuò)大商業(yè)化應(yīng)用。

　　羅國(guó)昭認(rèn)為，18A被英特爾視為“奪回制程領(lǐng)導(dǎo)權(quán)”的關(guān)鍵。如果18A能證明其效能，那么14A則有望吸引大量原本屬于臺(tái)積電的客戶。

　　就在2025年10月，英特爾曾公開展示基于18A工藝的Panther Lake處理器晶圓。目前，其正將亞利桑那州工廠作為18A產(chǎn)能核心，目標(biāo)是拿到蘋果、英偉達(dá)等頭部客戶的訂單，以重塑其在晶圓代工市場(chǎng)的地位。

　　市場(chǎng)價(jià)值初顯

　　伴隨1.4納米制程進(jìn)入研發(fā)周期，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)價(jià)值也有望迎來新一輪增長(zhǎng)，同時(shí)推動(dòng)下游應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)革新。

　　季維認(rèn)為，進(jìn)入2納米制程后，1.4納米將不只是代表一個(gè)孤立的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，而是連接智能終端、云端AI、邊緣計(jì)算與汽車電子等多重場(chǎng)景的關(guān)鍵橋梁。若1.4納米能夠在2027—2028年進(jìn)入穩(wěn)定放量期，其打通融合多應(yīng)用場(chǎng)景預(yù)計(jì)將是其首要價(jià)值。

　　從需求端來看，AI芯片、智能駕駛、高端消費(fèi)電子是1.4納米工藝的核心應(yīng)用場(chǎng)景。據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)及其他機(jī)構(gòu)發(fā)布的研報(bào)，2025年AI芯片制造商對(duì)3納米及以下制程設(shè)備采購(gòu)量同比激增，占全球先進(jìn)設(shè)備總需求的三成以上，隨著大模型訓(xùn)練與推理需求持續(xù)釋放，1.4納米制程將成為AI芯片性能突破的關(guān)鍵支撐。

　　智能駕駛領(lǐng)域同樣潛力巨大，車規(guī)級(jí)芯片正逐步向1.4納米及以下工藝滲透，1.4納米制程可實(shí)現(xiàn)更高的算力密度與更低的功耗，滿足自動(dòng)駕駛感知、決策、控制等多環(huán)節(jié)的高性能需求。

　　據(jù)Gartner、IDC等第三方機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，到2030年，全球先進(jìn)制程（5納米以下）代工市場(chǎng)規(guī)模將突破1200億美元。其中，1.4納米及以下節(jié)點(diǎn)將占據(jù)高端邏輯芯片產(chǎn)值的40%以上。

　　季維指出，由于1.4納米極高的進(jìn)入壁壘，已有市場(chǎng)機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)其初期代工單價(jià)將比3納米高出約50%。這對(duì)晶圓廠而言，盡管研發(fā)成本高企，但其長(zhǎng)尾效應(yīng)可能帶來的利潤(rùn)卻非常驚人。

　　對(duì)于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局，羅國(guó)昭認(rèn)為，若臺(tái)積電在1.4納米上能夠盡快取得快速良率提升，并與大客戶綁定，臺(tái)積電的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)將進(jìn)一步放大，可能導(dǎo)致高端市場(chǎng)的“單極”格局短期內(nèi)更穩(wěn)固。反之，若三星或英特爾通過差異化技術(shù)或本地化政策工具成功爭(zhēng)取到高價(jià)值訂單，則全球高端代工市場(chǎng)可能出現(xiàn)更明顯的“分區(qū)化”競(jìng)爭(zhēng)，客戶會(huì)根據(jù)產(chǎn)品類別與合規(guī)需求選擇不同代工廠，而這一點(diǎn)，在1.4納米時(shí)代可能會(huì)更明顯。

　　此外，對(duì)于各方關(guān)注的中國(guó)市場(chǎng)，先進(jìn)制程領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)壓力也正在倒逼本土企業(yè)加速突圍。目前以中芯國(guó)際為代表的廠商在成熟制程領(lǐng)域持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，同時(shí)加大先進(jìn)技術(shù)研發(fā)投入。Yole Group預(yù)測(cè)，2030年中國(guó)大陸有望以30%的全球晶圓代工產(chǎn)能份額，成為全球最大代工中心。雖然在先進(jìn)制程方面仍面臨突圍挑戰(zhàn)，但這種追趕，無疑將令1.4納米時(shí)代的競(jìng)爭(zhēng)格局充滿想象空間。